第一个工艺是铸块。铸块是制作晶圆的基板。将结晶硅和硼酸（B），磷（P）一起放入石英坩埚中，高温溶解。将结晶棒浸入溶解的硅液面，一边旋转，一边慢慢的向上提起，单结晶铸块完成，并且其原子配列和结晶棒相同。

这个是将铸块研磨薄之后加工晶圆的工艺
第一步制作的铸块被线锯切薄后，成圆盘状。这个叫晶圆。这个晶圆表面是凹凸不平的，通过rapping（粗研磨）・蚀刻（化学方式研磨）・抛光（镜面研磨）这几个研磨工艺打磨光滑。
研磨后的晶圆厚度根据SEMI规格等有一点基准，例如“12”晶圆，其厚度就在775μm±20μ

• In-situ膜厚测量1（SF-3）
• 晶圆平坦度测量（SF-3）
• 研磨后晶圆厚度测量（SF-3）
• 晶圆锐边厚度测量 （SF-3）

这个过程叫做清洗。主要为了去除附着在表面的异物。如果晶圆上有异物，之后再结晶成长工艺和光刻工艺中会产生不良。通过过酸化氢和盐酸、氢氟酸等清洗液去除晶圆上的粒子和金属，有机物。之后用非常干净的被称作超纯水的清洗用水流动清洗，旋转干燥。潮湿的话，空气中的粒子可能会污染刚洗净的晶圆。

• 晶圆表面的电位（ELSZ-2000ZS）

在晶圆表面酸化过程中，形成通过热处理产生的优质表面酸化膜。酸化设备主要有纵型炉，横型炉和ＲＴＰ设备。通过酸化炉加高温度（约800℃以上），在流入混有氧的煤气，形成酸化膜

热酸化后，涂布光刻胶，然后经过曝光・显影、蚀刻、清洗、CMP工程形成pattern。

• In-situ 膜厚测量2（SF-3）

通过晶圆探针，测试晶圆上形成的所有芯片的电气特性。通过这个测试，可以辨别芯片的不良品。

晶圆薄化工艺中，为了便于运送时抓取晶圆，会将晶圆贴合再硅和玻璃等的支持基板上。
夹着树脂（接着层）贴合，最近也有提案，晶圆之间直接贴合。

• 贴合晶圆厚度的测量

晶圆表面pattern完成后，研磨晶圆正反面，削薄厚度。研磨后晶圆全体厚度不匀，需要尽可能控制厚度不匀。

• In-situ 膜厚测量3（SF-3）
• 研磨后的贴合晶圆厚度测量（SF-3）

将前工艺中制作的晶圆在后工艺中一个一个切开分离IC芯片，封装。把芯片切小这个工艺叫做切片。主要通过高速旋转钻石材质的圆形刀片，用纯水一边冷却一边冲洗切割中的碎渣完成切片的。

完成后的芯片通过线粘合和再配线层，配线于封装基板和硅支持基板等中。之后，芯片用树脂封装完成。

完成半导体封装后，可以组装到汽车，智能手机，IoT驱动、云、AI关联产品等各个领域中。