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即时检测
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板(强酸环境中)于减薄制程中的厚度变化
●非接触式、非破坏性光学式膜厚检测
●采用分光干涉法实现高度检测再现性
●可进行高速的即时研磨检测
●可穿越保护膜、观景窗等中间层的检测
●可对应长工作距离、且容易安裝于产线或者设备中
●体积小、省空間、设备安装简易
●可对应线上检测的外部信号触发需求
●采用最适合膜厚检测的独自解析演算法。(已取得专利)
●可自动进行膜厚分布制图(选配项目)
规格式样
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SF-3 |
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膜厚测量范围 |
0.1 μm ~ 1600 μm※1 |
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膜厚精度 |
±0.1% 以下 |
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重复精度 |
0.001% 以下 |
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测量时间 |
10msec 以下 |
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测量光源 |
半导体光源 |
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测量口径 |
Φ27μm※2 |
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WD |
3 mm ~ 200 mm |
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测量时间 |
10msec 以下 |
※1 随光谱仪种类不同,厚度测量范围不同
※2 最小Φ6μm
